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日本進(jìn)口HORIBA堀場(chǎng)IT-545N輻射溫度計(jì) 一種方便的非接觸式輻射溫度計(jì)，可讓您使用點(diǎn)標(biāo)記查看測(cè)量位置。雖然它是行業(yè)最高標(biāo)準(zhǔn)的高精度溫度計(jì)* ，但它攜帶方便，讓您輕松測(cè)量溫度。可以實(shí)現(xiàn)非接觸、準(zhǔn)確、高效的溫度測(cè)量，例如在高溫、高壓的危險(xiǎn)場(chǎng)所，例如檢查變電站設(shè)備的異常發(fā)熱，或者在快速衛(wèi)生測(cè)量時(shí)，例如檢查冷藏食品的溫度。

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HORIBA堀場(chǎng)小型等離子發(fā)射監(jiān)測(cè)器EV2.0 LR 在半導(dǎo)體制造工藝中，等離子體技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種制造工藝中，包括薄膜沉積和蝕刻。 該等離子體發(fā)射監(jiān)測(cè)儀可用于廣泛的應(yīng)用，從各種等離子體室的研發(fā)到生產(chǎn)線，例如工藝終點(diǎn)檢測(cè)、狀態(tài)管理和等離子體診斷。

現(xiàn)貨HORIBA堀場(chǎng)等離子發(fā)射監(jiān)測(cè)器EV2.0 STD 在半導(dǎo)體制造工藝中，等離子體技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種制造工藝中，包括薄膜沉積和蝕刻。 該等離子體發(fā)射監(jiān)測(cè)儀可用于廣泛的應(yīng)用，從各種等離子體室的研發(fā)到生產(chǎn)線，例如工藝終點(diǎn)檢測(cè)、狀態(tài)管理和等離子體診斷。

進(jìn)口HORIBA堀場(chǎng)EV2.0 HR等離子發(fā)射監(jiān)測(cè)器 在半導(dǎo)體制造工藝中，等離子體技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種制造工藝中，包括薄膜沉積和蝕刻。 該等離子體發(fā)射監(jiān)測(cè)儀可用于廣泛的應(yīng)用，從各種等離子體室的研發(fā)到生產(chǎn)線，例如工藝終點(diǎn)檢測(cè)、狀態(tài)管理和等離子體診斷。

原裝HORIBA堀場(chǎng)等離子發(fā)射控制器RU-1000 使用反應(yīng)濺射將觸摸面板和玻璃基板的薄膜沉積在基材上。反應(yīng)性濺射是在真空中使濺射粒子與氧或氮發(fā)生化學(xué)反應(yīng)來(lái)成膜的方法，但定量供給反應(yīng)氣體的方法會(huì)減慢成膜速度，難以實(shí)用化。然而，已知存在一種不穩(wěn)定的過(guò)渡模式，其中沉積速率在沉積速率快??的反應(yīng)模式和金屬模式之間變化很大，并且可以通過(guò)基于等離子體控制反應(yīng)氣體來(lái)維持過(guò)渡區(qū)域排放強(qiáng)度。