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北崎HORIBA堀場MU-3000多組分氣體混合裝置 根據生成的氣體成分配備質量流量控制器，可以通過簡單的操作生成混合氣體。 我們的產品陣容涵蓋從 2 種成分到最多 6 種成分的氣體混合物。 控制軟件具有程序操作功能、氣體濃度設定功能等，是適合各種研究開發(fā)用途的氣體發(fā)生系統(tǒng)。

日本供應HORIBA堀場氣體混合裝置MU-2200 混合氣體發(fā)生器：MU系列配備高性能質量流量控制器，均勻混合生成兩種或多種氣體。操作面板上采用觸摸屏，通過輸入混合氣體濃度和流量，生成任意濃度的混合氣體。

原裝現貨HORIBA堀場IR-300氣體濃度監(jiān)測儀 用于鼓泡供應管線的在線氣體濃度監(jiān)測器。用于原料氣體的穩(wěn)定供應。 MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）廣泛應用于LED制造工藝和光學器件制造工藝中。該 MOCVD 設備采用液體/固體材料，通常使用鼓泡方法將其作為汽化氣體輸送到腔室。

進口供應HORIBA堀場氣體監(jiān)測儀IR-400 隨著半導體制造薄膜沉積工藝中微細加工的進步，處理后保持腔室清潔對于提高生產率變得非常重要。 IR-400系列是用于薄膜沉積工藝的腔室清潔終點檢測監(jiān)視器，可實時監(jiān)測廢氣成分（SiF4、CF4）。通過優(yōu)化干洗終點檢測、減少清潔氣體消耗和時間以及減少室損壞，有助于延長零件的使用壽命。

原裝供應HORIBA堀場隔膜真空表VG-200S 過程壓力測量是半導體、平板顯示器、光伏板、硬盤、涂料等許多行業(yè)的一項重要技術。電容式壓力計利用帶有對電極的電容來測量膜片兩側壓力差引起的位移量，并將其轉換為壓力。

日本進口HORIBA堀場激光氣體分析儀LG-100 LG-100系列配備了HORIBA專有的紅外氣體分析技術“IRLAM TM ”（紅外激光吸收調制），可實時測量半導體制造蝕刻過程中產生的廢氣成分SiF4，并檢測微量的SiF可以從4中檢測端點的變化。